中国缩小NAND技术差距，与韩国仅剩两年距离

【中文科技资讯】11月23日消息，根据韩国媒体Business Korea的报道，市场内部消息人士透露，由于中国大陆加大对存储器产业的支持，该领域在过去几年取得了显著进展。与全球领先企业如三星、SK海力士等相比，中国企业在NAND闪存技术上的差距已经缩小到仅有2年。

业内人士指出：“尽管DRAM技术仍然存在5年以上的差距，但由于NAND技术的较低壁垒，中国企业在政府的大力支持下迅速迎头赶上，不断缩小技术差距。虽然中国企业在市场竞争方面仍有不足，但显然已经加速了技术追赶的步伐。”

报道特别提到了长江存储，该公司在2022年闪存峰会(FMS)上正式发布了基于晶栈3.0(Xtacking 3.0)架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。尽管在从176层到232层的量产过程中遭到了外界的质疑，但长江存储用不到1年的时间成功量产了X3-9070。

除了应用于致态TiPlus7100系列SSD外，X3-9070还被用于海康威视的CC700 2TB SSD上，成为首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案，领先于三星、美光、SK海力士等竞争对手。

报道还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正在抓住先进封装(Efficient packaging)的机会，进一步缩小技术差距。在半导体业内，先进封装主要封装多个芯片以提高性能，被认为是克服技术挑战的关键。

根据市场研究公司IDC的数据，中国大陆在半导体封装领域占有第二大市场份额。去年，长电科技、通富微电和华天科技三家公司进入全球前10大半导体封装(OSAT)公司，而韩国则没有一家公司进入该榜单。