【中文科技资讯】11月15日消息，最新消息显示，三星计划进一步扩大其ASML极紫外(EUV)光刻设备的进口规模，这一决定引起了业界的广泛关注。据了解，该科技巨头将在未来五年内向ASML购买总计50套EUV光刻设备，每套设备的价格约为2000亿韩元，总价值可达10万亿韩元。
虽然具体的合同细节因保密条款而未能披露，但证券市场的消息人士透露，此次协议将进一步确保三星在先进半导体工艺领域的竞争力。这也引发了业内对ASML最新一代“High NA EUV”光刻设备是否涵盖在内的猜测。目前EUV光刻设备的生产受到严格限制，每年的产量非常有限，仅能满足有限的市场需求。
据中文科技资讯了解，去年六月，三星电子推出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米代工技术，成为业内的领先者。为了保持技术领先并在半导体领域保持竞争力，三星电子将加快升级工艺，计划在明年上半年实现3纳米世代的第二代工艺，并分别在2025年和2027年进入2纳米和1.4纳米工艺。
半导体领域的专业分析师对三星电子的EUV光刻设备增购计划表示积极看法。祥明大学系统半导体工程教授李钟煥表示：“三星已经引进了数十台EUV光刻设备，每台设备的成本大约为2000亿韩元，这表明公司有意扩大3纳米产能，并在未来实现2纳米计划。”
此前，三星电子已经宣布计划在2025年之前拥有100台EUV光刻机，目前市场估计其EUV机群已达40台左右。若这次50台设备交付成功，三星电子将在2028年前后拥有约100台EUV光刻设备，为其未来的技术研发和生产提供更强有力的支持。
荷兰应用科学研究所(TNO)韩国代表朴炳勋解释称：“一般情况下，半导体工艺可以将每台机器的10%用于研发和测试，而拥有100台机器则表示可以全天候用于研发。”他还强调：“通过这一举措，我们将确保有足够的工艺能力来正确使用这些设备，从而降低时间和成本，并提高产量。”
工业研究所的专家研究员金阳邦表示：“一旦我们拥有了大量的EUV设备，并且技术稳定，我们将能够提高产量，并在代工方面取得更大的进展。”这一举措预示着三星电子在未来半导体市场上将继续保持技术创新的领先地位。
