台积电冲刺2纳米工艺，领跑半导体行业

【中文科技资讯】10月12日消息，台湾半导体制造巨头台积电正迈向2纳米工艺，将继续领跑半导体行业。根据MoneyDJ的最新报道，台积电计划在2024年第二季度开始在新竹宝山工厂进行2纳米工艺的设备安装，预计在2025年第四季度开始量产，初期的月产能预计将达到3万片晶圆。

除了新竹宝山工厂，台积电的高雄工厂也在积极备战，计划在N2工艺推出后的1年内采用背面供电技术，进行N2P(2纳米增强版)工艺的量产。

台积电此前已经披露了关于N2工艺的一些信息，他们将扩展背面电源轨(backside power rail)解决方案，以减少红外信号的衰减，从而改善性能，预计性能提升幅度将达到10%至12%，同时还将实现逻辑面积的减少，幅度在10%至15%之间。

台积电计划在2025年下半年向客户交付背面电源轨样品，并计划在2026年开始量产。

与台积电竞争的三星也已经公布了其半导体制造计划，他们计划在2025年大规模量产2纳米工艺，而在2027年将推出1.4纳米工艺。另一家竞争对手英特尔预计在2024年上半年开始量产采用Gate All Around(GAA)技术的RibbonFET电晶体架构的20A工艺，而在2025年将推出18A工艺。这一竞争将进一步推动半导体行业的创新和发展。