【中文科技资讯】7月18日消息，根据Hi Investment & Securities机构最新发布的报告显示，三星Foundry在3纳米(nm)工艺上的良率达到了60%，超过了台积电的55%。
据报道，三星Foundry正积极推动3纳米工艺的发展，并不断改进生产工艺以提高良率。目前，他们已经成功将良率提升至60%。分析师认为，这使得三星有望在超先进芯片制造技术上超越台积电。
同样在报告中指出，三星Foundry在4纳米工艺方面的良率为75%，稍逊于台积电的80%，存在一定差距。然而，通过加大在3纳米工艺上的投入，三星Foundry有望在未来赶超台积电。
据中文科技资讯了解，报告还指出，由于苹果预订了台积电大部分订单，英伟达、高通等公司对三星的第二代3纳米(SF3)工艺表现出浓厚的兴趣。
此前，三星Foundry在SFF 2023(Samsung Foundry Forum)上发布了最新的工艺技术路线图。根据该路线图，三星计划于2025年推出2纳米级的SF2工艺，并在2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特性。
