【中文科技资讯】11月15日消息，近日有关三星计划引进更多ASML极紫外(EUV)光刻设备的报道引起广泛关注。据悉，三星与ASML达成的协议将在未来五年内引入50套EUV光刻设备，每套设备约2000亿韩元，总价值高达10万亿韩元。
据中文科技资讯了解，虽然具体合同细节因保密条款而未能公开，但消息称，此次协议的签署将极大地推动三星电子在半导体领域的技术升级。目前尚不清楚这批设备是现有EUV光刻设备还是下一代“High NA EUV”光刻设备，然而，这一举措却为三星未来在3纳米、2纳米以及1.4纳米工艺的研发奠定了基础。
三星电子去年推出的全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米代工技术在市场上取得了显著成功。为了确保更多EUV光刻设备的采购，三星董事长李在镕曾于去年访问ASML总部，并与首席执行官Peter Bennink就EUV采购问题进行深入讨论。据悉，这些会谈产生了实际成果，为三星未来的工艺升级奠定了坚实基础。
分析师对于三星电子增购EUV光刻设备的计划表示乐观。祥明大学系统半导体工程教授李钟桓表示：“三星已引进数十台EUV光刻设备，这表明该公司在未来的工艺研发和生产中将具备更大的灵活性，进一步巩固了其在半导体领域的竞争地位。”
三星电子此前宣布计划到2025年拥有100台EUV光刻机，而市场估计目前三星已拥有40台EUV设备。若这次引进的50套EUV光刻设备能够如期交付，三星有望在2028年前后达成拥有约100台EUV设备的目标，为其在半导体代工方面进一步扩大产能提供有力支持。荷兰应用科学研究所(TNO)韩国代表Byung-hoon Park表示，通过拥有更多EUV设备，三星将能够全面提高工艺能力，进而降低研发时间和成本，提高产量，为未来的技术发展打下坚实基础。
