【中文科技资讯】1月15日消息，据业界消息人士透露，韩国半导体巨头SK海力士正积极寻求突破美国对华的极紫外(EUV)光刻机出口限制，旨在提升其位于中国的半导体制造工厂的技术实力。
随着全球半导体市场的逐步回暖，以及中国在高性能半导体制造领域的显著进步，SK海力士等韩国芯片制造商正通过多种途径努力提升在华生产设施的工艺水平。据知情人士称，SK海力士有意将其位于无锡的重要生产基地的部分DRAM生产设备升级至第四代10纳米工艺，以应对市场需求的增长和技术竞争的加剧。
然而，对于市场上传出的无锡工厂技术升级的消息，SK海力士官方表示，目前无法具体透露工厂的详细运营计划。无锡工厂对SK海力士而言具有举足轻重的地位，其产量占据了公司DRAM总产量的高达40%的份额。目前，该工厂主要负责生产两款较为成熟的10纳米DRAM产品。
业内分析认为，SK海力士在推进无锡工厂技术升级方面面临着不小的挑战。自2019年以来，美国为遏制中国半导体产业的快速发展，一直对出口至中国的EUV光刻机实施严格限制，这无疑增加了SK海力士等企业在华升级生产技术的难度。
尽管如此，SK海力士似乎认为，在全球半导体市场复苏的大背景下，高性能芯片产能的扩张已成为迫在眉睫的任务。为此，公司需要借助10纳米级第四代DRAM或更先进的产品来巩固和拓展市场份额。
据中文科技资讯了解，SK海力士的上述举动不仅反映了全球半导体市场的动态变化，也凸显了中国半导体产业在全球产业链中的重要地位。随着中国半导体产业的持续升级和发展，全球半导体市场有望迎来更加繁荣和多元化的新时代。
