【中文科技资讯】12月28日消息，随着2023年即将结束，今年的顶级旗舰大战也宣告落下帷幕。而备受期待的三星新一代旗舰Galaxy S24系列即将于明年初亮相，成为科技圈瞩目的焦点。包括Galaxy S24、Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra在内的三款机型已经成为爆料者们关注的焦点，近日，有海外爆料达人进一步晒出了该机在存储规格上的更多细节。
根据海外爆料达人@yeux1122最新发布的信息，Galaxy S24系列中的128GB版本机型将采用UFS 3.1闪存，而其他版本则将搭载更先进的UFS 4.0闪存。据了解，相较于UFS 3.1，UFS 4.0的速度显著提升，顺序读取速度是后者的两倍，顺序写入速度更是超过两倍，同时功耗还降低了46%。这将为用户带来更为迅捷的应用和游戏加载速度，文件保存速度也将大幅提升，同时还能够提高内存密集型应用的运行效率。
据中文科技资讯了解，Galaxy S24系列在其他方面的设计与上一代相近，下巴控制得相当出色，几乎达到了四边等窄的效果。在硬件方面，该系列将再次采用双处理器战略，除了搭载高通第三代骁龙8 for Galaxy处理器的“鸡血”版本外，在欧洲等特定市场还将推出搭载自家Exynos 2400处理器的版本，配备LPDDR5X内存和UFS 4.1存储。相机方面，后置5000万像素主摄+1200万像素超广角+1000万像素长焦的三摄相机模组将为用户提供更出色的拍摄体验，而电池容量也将提升至4000mAh，尽管仍然支持祖传的25W快充。
