台积电宣布：1.4nm制程无需High NA EUV技术，持续优化Low NA路线

在荷兰阿姆斯特丹，台积电的一位高层近日于公司2025年技术论坛欧洲场活动中发表了一项引人关注的观点。资深副总经理兼副联席首席运营官张晓强指出，对于当前最尖端的制程技术，引入High NA EUV（极紫外光刻）技术并非当务之急。

张晓强详细阐述了台积电最新的1.4nm级别逻辑制程A14。他强调，即便没有采用High NA EUV图案化设备，A14制程的性能提升依然显著。他进一步透露，台积电的技术团队正不断努力，通过工艺优化来拓宽Low NA EUV技术的应用范围。只要这一技术路径能够持续取得进展，台积电认为在量产中引入成本高昂的ASML High NA EUV设备便显得没有必要。

张晓强还提及了业界对High NA EUV技术的整体态度。他指出，在三大先进制程厂商中，虽然有一家国际同行对High NA EUV技术表现出了最为积极的态度，但在实际生产中，这家厂商也表现出了谨慎的倾向。特别是在与台积电A14制程相近的某个14A工艺节点上，该厂商也提供了是否使用High NA EUV技术的不同方案选择。

这一表态不仅反映了台积电在先进制程技术路线上的自信，也揭示了整个半导体行业在追求更高精度和更低成本之间的微妙平衡。随着技术的不断进步，如何在保证性能的同时，有效控制成本，成为了所有厂商必须面对的重要课题。