三星14nm DRAM遇阻，HBM3E内存认证或延期？内部考虑调整

近日，有关三星电子HBM3E产品的消息引起了业界的关注。据报道，这款36GB容量的HBM3E 12H内存由于受制于其14nm级DRAM技术，至今未能通过主要客户英伟达的认证并实现供货。预计该产品的供应将推迟至2025年的第2至3季度。

与竞争对手SK海力士和美光相比，三星电子在HBM领域的工艺显得较为落后，后者已采用1nm级DRAM技术。原因在于，三星电子的12nm级DRAM最初设计时并未考虑用于HBM领域，因此无法迅速调整以适应HBM3E内存的需求。同时，三星电子的1a DRAM还面临着工艺和设计上的双重挑战。

尽管采用了较为激进的EUV技术来降低成本，使得其1a DRAM产品相比SK海力士同期产品多了5个EUV层，但由于EUV工艺的复杂性和稳定性问题，这些技术优势并未转化为经济上的优势。

三星的1a DRAM设计本身也存在问题，这导致其DDR5服务器内存条获得英特尔产品认证的时间晚于竞争对手SK海力士。有消息透露，三星电子正在内部讨论是否对部分1a DRAM电路进行重新设计，但这一决策尚未确定。而重新设计并批量生产需要6个月时间，这无疑将影响三星电子向下游厂商的及时交付。