近期，存储行业的竞争愈发激烈，促使NAND技术不断取得突破。据韩媒ZDNet的最新报道，三星可能将在其下一代NAND闪存技术中，采用中国长江存储的混合键合专利。
据悉，三星计划于2025年下半年启动大规模生产其V10（第10代）NAND闪存。这款新型NAND预计将达到约420至430层的堆叠高度，标志着技术上的又一次飞跃。
报道进一步指出，三星与SK海力士正在与长江存储就一项专利协议进行深入谈判。这一消息无疑引起了业界的广泛关注，因为长江存储在闪存技术领域的创新已经取得了显著成果。
长江存储率先在闪存中引入了晶栈Xtacking技术，该技术通过独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，为NAND闪存带来了更高的I/O接口速度和更多的操作功能。这一创新加工方式的选择，使得NAND闪存在性能上实现了显著提升。
据知情人士透露，长江存储在大约四年前就已经在该领域建立了强大的专利组合。而三星之前采用的NAND生产技术为COP（Cell on Peripheral），即将外围电路放置在一个晶圆上，单元堆叠在其上方。然而，随着堆叠层数的不断增加，特别是当超过400层时，下层外围电路所受的压力增大，对可靠性造成了影响，因此急需寻找替代方案。
在混合键合专利方面，美国Xperi、长江存储和台积电占据了主导地位。三星认为，在下一代NAND闪存如V10、V11和V12的生产中，很难绕过这些现有专利。因此，选择与长江存储进行合作，成为了三星应对技术挑战的重要策略。
这一合作不仅体现了三星对长江存储技术实力的认可，也预示着存储行业将迎来更加紧密的国际合作与技术交流。随着NAND技术的不断进步，存储行业的未来充满了无限可能。
