英飞凌新突破：20μm超薄硅功率晶圆，基板电阻减半！

英飞凌近日在硅功率晶圆技术领域取得了重大突破，成功研发出史上最薄的硅功率晶圆。这一创新成果不仅提升了技术性能，还为未来功率转换技术的发展奠定了基础。

新研发的晶圆直径为30mm，厚度仅为20μm，相当于传统晶圆厚度的一半，极大地降低了基板电阻和功率损耗。

超薄晶圆技术的应用，特别是在高端AI服务器领域，对于实现高效功率转换具有重要意义。它促进了垂直功率传输设计的发展，提高了整体效率。

英飞凌的这一技术已获得市场认可，并已成功应用于其集成智能功率级产品中，交付给了首批客户。

据悉，英飞凌将在2024年慕尼黑国际电子元器件博览会上公开展示这款超薄硅晶圆。