M31円星科技eUSB2 PHY IP台积电2nm制程设计定案，3nm节点已完成硅验证

半导体IP领域的创新企业M31円星科技近日宣布了一项重要进展。据悉，该公司的eUSB2 PHY IP在台积电的2nm制程节点上已成功完成设计定案，而针对3nm节点的版本也已经顺利通过了硅验证。

eUSB2作为USB 2.0面向嵌入式应用的物理层修订版本，其设计充分考虑了先进工艺节点对电压的更低耐受性，因此在信号电压上进行了调整，同时优化了能效表现。USB-IF还推出了eUSB2的改进版v2，将传输速度上限提升至接近USB 3.2 Gen 1的4.8 Gbps。

M31円星科技表示，其eUSB2 IP解决方案凭借其出色的性能和稳定性，已经赢得了多家全球领先的智能手机芯片制造商和AI图像处理应用企业的青睐，并被广泛应用于他们的产品中。

不仅如此，M31円星科技还在积极推进eUSB2V2 IP的开发工作，并着手布局台积电的N3与N2制程技术。此举旨在进一步扩展和完善其eUSB2解决方案平台，以满足市场对高性能、低功耗USB接口日益增长的需求。

随着半导体技术的不断进步和智能设备的广泛应用，USB接口作为数据传输和充电的重要接口标准，其性能和稳定性对于用户体验至关重要。M31円星科技此次在eUSB2 IP方面的突破，无疑将为市场带来更多高性能、低功耗的USB解决方案，推动整个行业的发展。

未来，随着更多先进制程技术的引入和应用，M31円星科技将继续发挥其在半导体IP领域的专业优势，为市场带来更多创新、高效的解决方案。